인텔과 마이크론이 D램과 낸드플래시 메모리를 하나로 합친 차세대 메모리를 내년부터 양산한다. 기존 D램·낸드보다 데이터 처리 속도와 내구성은 높이고 가격은 낮춘다는 전략이어서 기존 메모리 시장 구도에 어떤 변화를 이끌지 눈길을 끈다.
인텔과 마이크론은 전통적인 메모리 반도체 소자인 트랜지스터와 커패시터를 완전히 없앤 새로운 비휘발성 메모리 기술 ‘3D 크로스포인트(XPoint)’를 29일 발표했다. 하반기 샘플 공급을 거쳐 내년에 양산을 시작한다.
전통적 반도체 소자인 트랜지스터와 커패시터를 완전히 없앤 것이 가장 큰 특징이다. 기존 소자 특성상 데이터가 마이크로프로세서에 접근할 때 속도가 느려지는데 이를 새로운 소재로 대체함에 따라 데이터를 지웠다가 다시 쓰는 과정이 없어져 처리 속도가 빨라졌다.
3D 크로스포인트 기술은 낸드보다 데이터 처리속도가 1000배 빠르고 내구성은 1000배 높다. D램보다 용량 집적도는 10배 이상 커졌다. 데이터 접근 지연시간은 기존 마이크로초에서 나노초 단위로 측정할 정도로 빨라진다.
CPU 성능과 맞먹는 처리 속도 수준이니,
진심 내년 적용 되서 나올 제품들이 엄청 기다려 집니다.
